Speck, James. S.: шукати на сайті Z-Library

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 144 KB

english, 2006

1550-nm InGaAsP multi-quantum-well structures selectively grown on v-groove-patterned SOI substrates

Megalini, Ludovico, Bonef, Bastien, Cabinian, Brian C., Zhao, Hongwei, Taylor, Aidan, Speck, James S., Bowers, John E., Klamkin, Jonathan

Журнал:

Kaun, Stephen W., Burke, Peter G., Hoi Wong, Man, Kyle, Erin C. H., Mishra, Umesh K., Speck, James S.

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.30 MB

english, 2017

Effect of dislocations on electron mobility in AlGaN/GaN and AlGaN/AlN/GaN heterostructures

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1014 KB

english, 2012

Enhancement-Mode N-Polar GaN MISFETs With Self-Aligned Source/Drain Regrowth

Singisetti, Uttam, Wong, Man Hoi, Dasgupta, Sansaptak, Nidhi,, Swenson, Brian, Thibeault, Brian J., Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 421 KB

english, 2011

Increased p-type conductivity through use of an indium surfactant in the growth of Mg-doped GaN

Kyle, Erin C. H., Kaun, Stephen W., Young, Erin C., Speck, James S.

Журнал:

Malkowski, Thomas F., Pimputkar, Siddha, Speck, James S., DenBaars, Steven P., Nakamura, Shuji

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 788 KB

english, 2015

Acidic ammonothermal growth of gallium nitride in a liner-free molybdenum alloy autoclave

Журнал:

Lee, SeungGeun, Mishkat-Ul-Masabih, Saadat, Leonard, John T., Feezell, Daniel F., Cohen, Daniel A., Speck, James S., Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2016

Mechanical Fastening, Joining, and Assembly, Second Edition || Appendix A: Fastening, Joining, and Assembly Glossary

Speck, James

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 166 KB

english, 2015

Smooth and selective photo-electrochemical etching of heavily doped GaN:Si using a mode-locked 355 nm microchip laser

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.06 MB

english, 2017

Semipolar $(20\bar{2}1)$ GaN templates on sapphire: 432 nm InGaN light-emitting diodes and light extraction simulations

Khoury, Michel, Li, Hongjian, Bonef, Bastien, Kuritzky, Leah Y., Mughal, Asad J., Nakamura, Shuji, Speck, James S., DenBaars, Steven P.

Журнал:

SaifAddin, Burhan K., Almogbel, Abdullah S., Zollner, Christian J., Wu, Feng, Bonef, Bastien, Iza, Michael, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P., Speck, James S.

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.50 MB

english, 2018

AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on SiC substrates

Журнал:

ACS Photonics

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 691 KB

english, 2020

Seeded growth of GaN by the basic ammonothermal method

Tadao Hashimoto, Makoto Saito, Kenji Fujito, Feng Wu, James S. Speck, Shuji Nakamura

Журнал:

Edward R. Letts, James S. Speck, Shuji Nakamura

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 623 KB

english, 2007

Effect of indium on the physical vapor transport growth of AlN

Журнал:

Tania Roy, Yevgeniy S. Puzyrev, En Xia Zhang, Sandeepan DasGupta, Sarah A. Francis, Daniel M. Fleetwood, Ronald D. Schrimpf, Umesh K. Mishra, James S. Speck, Sokrates T. Pantelides

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 641 KB

english, 2009

1/f Noise in GaN HEMTs grown under Ga-rich, N-rich, and NH3-rich conditions

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 676 KB

english, 2011

Fracture Toughness of Chemically Vapor-Deposited Diamond

Michael D. Drory, Clayton F. Gardinier, James S. Speck

Журнал:

Journal of the American Ceramic Society

Рік:

1991

Мова:

english

Файл:

PDF, 301 KB

english, 1991

A GaN bulk crystal with improved structural quality grown by the ammonothermal method

Hashimoto, Tadao, Wu, Feng, Speck, James S., Nakamura, Shuji

Журнал:

Nature Materials

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 534 KB

english, 2007

High-brightness polarized light-emitting diodes

Matioli, Elison, Brinkley, Stuart, Kelchner, Kathryn M, Hu, Yan-Ling, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven, Speck, James, Weisbuch, Claude

Журнал:

Light: Science & Applications

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.58 MB

english, 2012

High power and high efficiency green light emitting diode on free-standing semipolar (112) bulk GaN substrate

Hitoshi Sato, Anurag Tyagi, Hong Zhong, Natalie Fellows, Roy B. Chung, Makoto Saito, Kenji Fujito, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura

Журнал:

physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 217 KB

english, 2007

The tetramer structure of the Nervy homology two domain, NHR2, is critical for AML1/ETO's activity

Yizhou Liu, Matthew D. Cheney, Justin J. Gaudet, Maksymilian Chruszcz, Stephen M. Lukasik, Daisuke Sugiyama, Jeff Lary, James Cole, Zbyszek Dauter, Wladek Minor, Nancy A. Speck, John H. Bushweller

Журнал:

Cancer Cell

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 894 KB

english, 2006

History of Depression as a Risk Factor for Alzheimer's Disease

Carl E. Speck, Walter A. Kukull, Daniel E. Brenner, James D. Bowen, Wayne C. McCormick, Linda Teri, Meredith L. Pfanschmidt, Jill D. Thompson and Eric B. Larson

Журнал:

Epidemiology

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 788 KB

english, 1995

Self-Aligned N-Polar GaN/InAlN MIS-HEMTs With Record Extrinsic Transconductance of 1105 mS/mm

Nidhi,, Dasgupta, Sansaptak, Lu, Jing, Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 393 KB

english, 2012

Interface trap characterization of atomic layer deposition Al2O3/GaN metal-insulator-semiconductor capacitors using optically and thermally based deep level spectroscopies

Jackson, Christine M., Arehart, Aaron R., Cinkilic, Emre, McSkimming, Brian, Speck, James S., Ringel, Steven A.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 2013

Ultralow nonalloyed Ohmic contact resistance to self aligned N-polar GaN high electron mobility transistors by In(Ga)N regrowth

Dasgupta, Sansaptak, Nidhi,, Brown, David F., Wu, Feng, Keller, Stacia, Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

Bryant, Benjamin N., Hirai, Asako, Young, Erin C., Nakamura, Shuji, Speck, James S.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 601 KB

english, 2010

Quasi-equilibrium crystal shapes and kinetic Wulff plots for gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy

Журнал:

Zhang, Zeng, Jackson, Christine M., Arehart, Aaron R., McSkimming, Brian, Speck, James S., Ringel, Steven A.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2013

Direct Determination of Energy Band Alignments of Ni/Al2O3/GaN MOS Structures Using Internal Photoemission Spectroscopy

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 497 KB

english, 2014

Enhancement-Mode N-Polar GaN MOS-HFET With 5-nm GaN Channel, 510-mS/mm $g_{m}$, and 0.66-$\Omega\cdot \hbox{mm}$$R_{\rm on}$

Singisetti, Uttam, Wong, Man Hoi, Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 366 KB

english, 2012

Effect of doping and polarization on carrier collection in InGaN quantum well solar cells

Neufeld, Carl J., Cruz, Samantha C., Farrell, Robert M., Iza, Michael, Lang, Jordan R., Keller, Stacia, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P., Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

Integrated Ferroelectrics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 919 KB

english, 2011

Tunable strontium titanate thin films for microwave devices

Acikel, Baki, Hansen, Peter J., Taylor, Troy R., Nagra, Amtt S., Speck, James S., York, Robert A.

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 304 KB

english, 2001

Causes of incorrect carrier-type identification in van der Pauw–Hall measurements

Bierwagen, Oliver, Ive, Tommy, Van de Walle, Chris G., Speck, James S.

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 443 KB

english, 2008

Impact of p-GaN Thermal Damage and Barrier Composition on Semipolar Green Laser Diodes

Hardy, Matthew T., Wu, Feng, Huang, Chia-Yen, Zhao, Yuji, Feezell, Daniel F., Nakamura, Shuji, Speck, James S., DenBaars, Steven P.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.97 MB

english, 2014

Comparison of Polished and Dry Etched Semipolar $(11\bar{2}2)$ III-Nitride Laser Facets

Hsu, Po Shan, Farrell, Robert M., Weaver, Jeremiah J., Fujito, Kenji, DenBaars, Steven P., Speck, James S., Nakamura, Shuji

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 771 KB

english, 2013

[IEEE 2009 74th ARFTG Microwave Measurement Conference - Broomfield, CO, USA (2009.11.30-2009.12.4)] 2009 74th ARFTG Microwave Measurement Conference - Additive phase noise measurements of AlGaN/GaN HEMTs using a large signal network analyzer and a tunable monochromatic light source

Suh, Inwon, Roblin, Patrick, Ko, Youngseo, Yang, Chieh-Kai, Malonis, Andrew, Arehart, Aaron, Ringel, Steven, Poblenz, Christiane, Pei, Yi, Speck, James, Mishra, Umesh

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 861 KB

english, 2009

The influence of random indium alloy fluctuations in indium gallium nitride quantum wells on the device behavior

Yang, Tsung-Jui, Shivaraman, Ravi, Speck, James S., Wu, Yuh-Renn

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 2014

Distributed phase shifters using (Ba,Sr)TiO 3 thin films on sapphire and glass substrates

Liu, Yu, Acikeia, Baki, Nagra, Amit S., Taylor, Troy R., Hansen, Peter J., Speck, James S., York, Robert A.

Журнал:

Integrated Ferroelectrics

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 465 KB

english, 2001

Effects of growth temperature on Mg-doped GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy

Hurni, Christophe A., Lang, Jordan R., Burke, Peter G., Speck, James S.

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 421 KB

english, 2012

[IEEE 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (MTT) - Boston, MA, USA (2009.06.7-2009.06.12)] 2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest - Characterization of traps in AlGaN/GaN HEMTs with a combined large signal network analyzer/deep level optical spectrometer system

Yang, Chieh-Kai, Roblin, Patrick, Malonis, Andrew, Arehart, Aaron, Ringel, Steven, Poblenz, Christiane, Yi Pei,, Speck, James, Mishra, Umesh

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 281 KB

english, 2009

Milliwatt Power Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar GaN Templates

Chakraborty, Arpan, Baker, Troy J., Haskell, Benjamin A., Wu, Feng, Speck, James S., Denbaars, Steven P., Nakamura, Shuji, Mishra, Umesh K.

Журнал:

The Journal of Imperial & Commonwealth History

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2005

Book reviews

Speck, W. A., Morrison, Malcolm F., Sturgis, James, Bridges, R. C., Simpson, Donald H., Benyon, John, Brooks, David R., Lacey, Roderic, Allan, Colin H., Dockrill, M. L., Haggie, Paul, Sims, R. L., Mor

Журнал:

Рік:

1982

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.46 MB

english, 1982

Basal Plane Stacking Fault Suppression by Nitrogen Carrier Gas in m -plane GaN Regrowth by Hydride Vapor Phase Epitaxy

Bryant, Benjamin N., Young, Erin C., Wu, Feng, Fujito, Kenji, Nakamura, Shuji, Speck, James S.

Журнал:

Hashimoto, Tadao, Wu, Feng, Speck, James S., Nakamura, Shuji

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 9.45 MB

english, 2013

Growth of Bulk GaN with Low Dislocation Density by the Ammonothermal Method Using Polycrystalline GaN Nutrient

Журнал:

Koblmüller, Gregor, Brown, Jay, Averbeck, Robert, Riechert, Henning, Pongratz, Peter, Speck, James S.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 149 KB

english, 2007

Ga Adlayer Governed Surface Defect Evolution of (0001)GaN Films Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 136 KB

english, 2005

Milliwatt Power Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes Grown on Silicon Carbide

Moe, Craig G., Masui, Hisashi, Schmidt, Mathew C., Shen, Likun, Moran, Brendan, Newman, Scott, Vampola, Kenneth, Mates, Tom, Keller, Stacia, Speck, James S., DenBaars, Steven P., Hussel, Chris, Emerso

Журнал:

Hashimoto, Tadao, Wu, Feng, Speck, James S., Nakamura, Shuji

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 96 KB

english, 2005

Growth of Bulk GaN Crystals by the Basic Ammonothermal Method

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 255 KB

english, 2007

Improved Performance of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Gate-Recess and CF 4 -Treatment

Chu, Rongming, Poblenz, Christiane, Wong, Man Hoi, Dasgupta, Sansaptak, Rajan, Siddharth, Pei, Yi, Recht, Felix, Shen, Likun, Speck, James S., Mishra, Umesh K.

Журнал:

Chakraborty, Arpan, Haskell, Benjamin A., Keller, Stacia, Speck, James S., Denbaars, Steven P., Nakamura, Shuji, Mishra, Umesh K.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 120 KB

english, 2008

Demonstration of Nonpolar m -Plane InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Free-Standing m -Plane GaN Substrates

Журнал:

Hurni, Christophe A., Kroemer, Herbert, Mishra, Umesh K., Speck, James S.

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 137 KB

english, 2005

m-plane ( 101¯0) and ( 202¯1) GaN/AlxGa1–xN conduction band offsets measured by capacitance-voltage profiling

Журнал: